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专利名称：一种异质结硅磁敏三极管和制作工艺方法专利类型：发明专利
发明人：赵晓锋,漆园园,刘红梅,温殿忠申请号：CN201811594928.1申请日：20181225公开号：CN109473541A公开日：20190315
摘要：本发明公开了一种异质结硅磁敏三极管及其制作工艺，所述传感器包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2)。本发明所述异质结硅磁敏三极管结构简单，实现了芯片的小型化和集成化；所述制作工艺简单，易于实现，适合规模化工业应用。
申请人：黑龙江大学
地址：150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号
国籍：CN
代理机构：北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙)
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