专利名称：奥氏体金属的渗碳方法及由此制得的奥氏体金属制
品
专利类型：发明专利
发明人：田原正昭,仙北谷春男,北野宪三,林田忠司申请号：CN95105748.0申请日：19950418公开号：CN1115791A公开日：19960131
摘要：一种奥氏体金属渗碳的方法，包括在于不超过680℃温度下奥氏体金属渗碳和渗碳之前将奥氏体金属保持在加热的含氟化物气体气氛中的步骤，以及由此制得的奥氏体金属制品。
申请人：大同北产株式会社
地址：日本北海道
国籍：JP
代理机构：中国专利代理()有限公司
代理人：罗才希
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