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专利名称：一种SiC基DMOSFET器件专利类型：实用新型专利发明人：张瑜洁,李昀佶,陈彤申请号：CN201920122905.4申请日：20190124公开号：CN2099630U公开日：20200117
摘要：本实用新型涉及半导体领域，提供一种SiC基DMOSFET器件，包括SiC外延材料基片、有源掺杂区、JFET掺杂区、JFET沟槽氧化物、栅电极接触、源电极接触与漏电极接触，SiC外延材料基片包括n++型衬底基片、n+型缓冲层与n‑型漂移层，有源掺杂区包括p well区、n++型源区与p++型基区，JFET掺杂区开设有第一沟槽，JFET沟槽氧化物覆盖于第一沟槽、JFET掺杂区以及pwell区，栅电极接触位于JFET沟槽氧化物的上表面，绝缘物质层位于栅电极接触的上表面且填充空隙，源电极接触位于绝缘物质层的上表面，漏电极接触位于n++型衬底基片的下表面。本实用新型的优点在于用于降低SiC基DMOSFET器件的JFET电阻与米勒电荷，从而提高该SiC基DMOSFET器件的高频优值。
申请人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
地址：100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A
国籍：CN
代理机构：福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙)
代理人：王美花
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