SFH4750

Wesentliche Merkmale••••••

3.5 W optische Leistung bei IF=1AAktive Chipfläche 2.1 x 3.2 mm2max. Gleichstrom 1 A

niedriger Wärmewiderstand (3 K/W)Emissionswellenlänge 850 nm

ESD-sicher bis 2 kV nach JESD22-A114-B

Features••••••

3.5 W optical power at IF=1AActive chip area 2.1 x 3.2 mm2 max. DC-current 1 A

Low thermal resistance (3 K/W)Spectral emission at 850 nm

ESD safe up to 2 kV acc. to JESD22-A114-B

Anwendungen••••••

Infrarotbeleuchtung für KamerasÜberwachungssystemeIR-Datenübertragung

Verkehrsüberwachungssysteme

Beleuchtung für BilderkennungssystemeNicht für Anwendungen im Automobilbereich

Applications••••••

Infrared Illumination for camerasSurveillance systemsIR Data Transmission

Intelligent Transportation SystemsMachine vision systems

Not released for automotive applications

Sicherheitshinweise

Safety Advices

Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile Depending on the mode of operation, these hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot- devices emit highly concentrated non visible Strahlung, die gefährlich für das menschliche infrared light which can be hazardous to the Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile human eye. Products which incorporate these enthalten, müssen gemäß den Sicherheits- devices have to follow the safety precautions richtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 given in IEC 60825-1 and IEC 62471.behandelt werden.

Typ TypeSFH 4750

1)

Bestellnummer Ordering CodeQ65110A8280

Strahlstärke1) (IF = 1A, tp = 20 ms)Radiant intensity1) Ιe (mW/sr)> 630 (typ. 1000)

gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr / measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr.

2010-12-151

SFH 4750

Grenzwerte TB1) = 25 °C Maximum RatingsBezeichnung Parameter

Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature rangeSperrschichttemperatur Junction temperatureSperrspannung Reverse voltageVorwärtsgleichstrom Forward current

Stoßstrom, tp = 100 µs, D = 0 Surge current Leistungsaufnahme, Power consumptionThermische Verlustleistung Thermal power-dissipation

Wärmewiderstand Sperrschicht / Bodenplatte Thermal resistance Junction / Base plate

1)

Symbol SymbolWert Value– 40 … + 100+ 1450.515129.83

Einheit Unit°C°CVAAWWK/W

TB, op , TB, stgTJVRIFIFSMPtotPthRthJB

TB = Temperatur auf der Rückseite der Metallkernplatine / Temperature at the backside of the base plate.

Kennwerte (TB = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter

Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 1 A, tp = 10 ms

Schwerpunkts-Wellenlänge der Strahlung Centroid wavelength IF = 1 A, tp = 10 ms

Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of ImaxIF = 1 A, tp = 10 msAbstrahlwinkel Half angle

Symbol Symbolλpeak

Wert Value860

Einheit Unitnm

λcentroid

850nm

Δλ30nm

ϕ± 70

Grad deg.

2010-12-152

SFH 4750

Kennwerte (TB = 25 °C) Characteristics (cont’d)Bezeichnung Parameter

Abmessungen der aktiven Chipfläche1) Dimension of the active chip area

Symbol Symbol

Wert Value2.1 × 3.210, 10

Einheit Unitmm²ns

L × B L × W

Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% tr, tfauf 10%, IF = 5 A, RL = 50 Ω

Switching times, Ιe from 10% to 90% and from 90% to 10%, IF = 5 A, RL = 50 ΩDurchlassspannung Forward voltage IF = 1 A, tp = 100 µsGesamtstrahlungsfluss Total radiant flux IF = 1 A, tp = 100 μs

Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe Temperature coefficient of Ie or Φe IF = 1 A, tp = 10 ms

Temperaturkoeffizient von VF Temperature coefficient of VF IF = 1 A, tp = 10 ms

Temperaturkoeffizient von λ Temperature coefficient of λ IF = 1 A, tp = 10 ms

1)

VF

9.5 (< 12)V

Φe

3.5W

TCI

– 0.3%/K

TCV

– 6mV/K

TCλ,centroid

+ 0.3nm/K

Die aktive Chipfläche besteht aus 6 einzelnen Chips mit je 1 x 1 mm². The active chip area consists of 6 single chips with 1 x 1 mm² each.

2010-12-153

SFH 4750

Strahlstärke1) Ιe

Radiant Intensity1) ΙeBezeichnung ParameterStrahlstärke

Radiant Intensity IF = 1 A, tp = 20 ms

1)

Symbol

SFH 4750 -EA

WerteValues

SFH 4750 -EB

Einheit UnitmW/sr mW/sr

Ιe min Ιe max

630 1000800 1250

Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 1.6:1) Only one group in one packing unit (variation lower 1.6:1)

Abstrahlcharakteristik

Radiation Characteristics Irel = f (ϕ)40˚50˚0.860˚0.60.40.2030˚20˚ϕ10˚0˚1.0OHF0418070˚80˚90˚100˚1.00.80.60.40˚20˚40˚60˚80˚100˚120˚2010-12-154

SFH 4750

Relative spektrale Emission Relative Spectral Emission Irel = f (λ), TB = 25 °C

100OHF04132Durchlassstrom Forward Current IF = f (VF), TB = 25 °C, Single pulse, tp = 100 μs

IF101AOHF04166Relativer Gesamtstrahlungsfluss Relative Total Radiant Flux Φe/Φe(1A) = f (IF), TB = 25 °C, Single pulse, tp = 100 μs101OHF03848Irel%80ΦeΦe(1 A)100100560510-154010-120510-250700750800850nm95010-25791113V1510-3-210510-15100A101λVFIFMax. zulässiger Durchlassstrom Max. Permissible Forward Current IF = f (TB), RthJB = 3 K/W

1.2A1.0OHF04168Zulässige Impulsbelastbarkeit Permissible Pulse Handling Capability IF = f (tp), TB = 85 °C, Duty cycle D = parameter

IF5.5A4.54.0OHF04167IFD=TtPtPIFT0.8D=3.53.02.50.60.42.01.50.0050.010.020.050.10.20.330.510.21.00.50020406080˚C120TB0-51010-410-310-210-1100101s102tp

2010-12-155

SFH 4750

Anschlusskontaktierung Contacting Drahttyp Wire typeAWG 18

Durchmesser Lötspitze DiameterSolder Tip~0.8 mm (Litze;

flexible wire)~0.5 mm (Litze;

flexible wire)~0.3 mm (Litze;

flexible wire)

3.2 mm (Meisel; Chisel)3.2 mm (Meisel; Chisel)3.2 mm (Meisel; Chisel)

Temperatur Lötzeit

TemperatureSolder Time250 °C 350 °C250 °C 350 °C250 °C 350 °C

16 sec. 6 sec14 sec. 5 sec9 sec. 3 sec

AWG 20

AWG 22

2010-12-156

SFH 4750

Maßzeichnung und Ersatzschaltbild

Package Outlines and equivalent circuit diagram Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch).

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A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system.2

Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered.2010-12-15

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