（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利说明
（21）申请号 CN201580003639.8 （22）申请日 2015.01.14 （71）申请人 密克罗奇普技术公司
地址 美国亚利桑那州
（10）申请公布号 CN105900246B
（43）申请公布日 2020.02.21
书
（72）发明人 博米·陈;索努·达里亚纳尼
（74）专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 沈锦华
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
高电压双扩散MOS(DMOS)装置及其制造方法
（57）摘要
本发明涉及一种形成集成DMOS晶体管
/EEPROM单元的方法，其包含：在衬底上方形成第一掩模；使用所述第一掩模在所述衬底中形成漂移植入物以对准所述漂移植入物；同时在所述漂移植入物上方形成第一浮动栅极及与所述漂移植入物隔开的第二浮动栅极；形成覆盖所述第二浮动栅极且覆盖所述第一浮动栅极的部分的第二掩模；使用所述第一浮动栅极的边缘在所述衬底中形成基极植入物，以使所述基极植入区域自对
准；且同时在所述第一浮动栅极上方形成第一控制栅极且在所述第二浮动栅极上方形成第二控制栅极。所述第一浮动栅极、第一控制栅极、漂移植入物及基极植入物形成所述DMOS晶体管的组件，且所述第二浮动栅极及第二控制栅极形成所述EEPROM单元的组件。
法律状态
法律状态公告日
2016-08-24 2016-08-24 2017-02-15 2017-02-15 2020-02-21
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
法律状态
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
权利要求说明书
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说明书
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