GaAsFET管逻辑开关控制、过热、过压保护电路

（12）实用新型专利

（21）申请号 CN200920109440.5 （22）申请日 2009.06.22

（71）申请人 北京北广科技股份有限公司

地址 100016 北京市朝阳区酒仙桥中路18号

（10）申请公布号 CN201430579Y

（43）申请公布日 2010.03.24

（72）发明人 李路生

（74）专利代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司

代理人 寿宁

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

GaAsFET管逻辑开关控制、过热、过压保护电路

（57）摘要

本实用新型涉及一种开关控制电路，

特别是一种GaAsFET管逻辑开关控制、过热、过压保护电路，包括正电源，设有一栅极供电电路，其包括一负压转换器N，输出栅极负偏压接所述GaAsFET管栅极；一电压开关调整管，输入端接所述正电源，输出一稳定的正漏极电压接所述GaAsFET管漏极；一漏极开关逻辑控制电路，在栅极电压产生后控制电压开关调整管导通，将正电源接通GaAsFET管漏极；一过温保护开关电路，连接并控制控制漏极开关逻辑控制电路；一过

压保护开关电路，连接并控制漏极开关逻辑控制电路。能确保砷化镓场效应管微波功放模块，每次上电时先上栅极电压V 法律状态

法律状态公告日

2010-03-24 2010-03-24 2019-07-16

法律状态信息

授权 授权 专利权的终止

法律状态

授权 授权

专利权的终止

权利要求说明书

GaAsFET管逻辑开关控制、过热、过压保护电路的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

GaAsFET管逻辑开关控制、过热、过压保护电路的说明书内容是....请下载后查看