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专利名称：一种超结MOS器件及其制造方法专利类型：发明专利发明人：马万里
申请号：CN201410332442.6申请日：20140711公开号：CN105336777A公开日：20160217
摘要：本发明提供一种超结MOS器件及其制造方法。该制造方法包括如下顺序进行的步骤：在N型硅衬底的N型外延层内部形成深沟槽；在形成有所述深沟槽的N型硅衬底上形成P型外延层，经驱入，在所述N型外延层内部形成P型扩散层；在所述P型外延层内部形成浅沟槽，并使所述浅沟槽深入至所述N型外延层内部；在形成有所述浅沟槽的N型硅衬底表面形成栅氧化层，并在所述浅沟槽内部的栅氧化层上填充多晶硅；在填充有所述多晶硅的N型硅衬底的P型外延层内部形成源区；在形成有所述源区的N型硅衬底表面依次形成介质层和金属层。本发明的制造方法无需对P型外延层进行回刻或研磨，并且还能够省去体区制作步骤，因此简化了制造工艺并降低了制造成本。
申请人：北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
地址：100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层
国籍：CN
代理机构：北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人：刘芳
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