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专利名称：串联式射频MEMS开关专利类型：实用新型专利发明人：于映,罗仲梓
申请号：CN200420111505.7申请日：20041116公开号：CN2752935Y公开日：20060118
摘要：一种串联式射频MEMS开关，它解决了现有技术因触点变形弯曲而影响触点与信号线的接触效果的问题，提供一种能保证触点与波导能够稳定接触的串联式射频MEMS开关，本实用新型包括：驱动块、触点、固定端、共平面波导，触点由上下二层薄膜构成，其上层薄膜的下表面的中间设有向下凸起，下层薄膜的上表面的中间设有与上层薄膜的向下凸起相配对的向上凹槽。本实用新型的射频MEMS开关减少了因多层薄膜所造成的应力影响，T型结构由于其下端的窄条起了支撑的作用，使触点的下端成为平面，改变了原先触点的弯曲现象，从而使触点与波导的接触成为稳定的接触，对开关性能的提高起了很大的作用。
申请人：福州大学
地址：350002 福建省福州市工业路523号
国籍：CN
代理机构：福州智理专利代理有限公司
代理人：丁秀丽
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