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专利名称：半导体器件及其形成方法、存储器专利类型：发明专利发明人：不公告发明人申请号：CN201710854347.6申请日：20170920公开号：CN109524295A公开日：20190326
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其形成方法、存储器。通过形成一尺寸较大的凹槽，并利用第二介质层部分填充凹槽，从而在凹槽和第二介质层的共同限定下构成一尺寸较小的接触窗。即，本发明提供的形成方法中，由于所形成的凹槽的尺寸较大，因此其制备难度也较低，例如在定义出凹槽的图形时，所执行的光刻工艺的工艺窗口较大，以及可仅执行一道光刻工艺即可，不仅有利于减低半导体器件的制备难度，并且可进一步简化工艺流程。同时，可使所形成的半导体器件的尺寸和形貌也更为精确，有效提高了所形成的半导体器件的产品良率。
申请人：长鑫存储技术有限公司
地址：230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：智云
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