具有电沉积介电涂层的带盖芯片的晶片级制造

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN200780048865.3 （22）申请日 2007.10.23

（71）申请人 泰塞拉技术匈牙利公司

地址 匈牙利布达佩斯

（10）申请公布号 CN101578703A

（43）申请公布日 2009.11.11

（72）发明人 V·奥加涅相;A·格林曼;C·罗森施泰因;F·哈扎诺维奇;D·奥夫鲁特斯基;A·达杨;Y·阿克先通;I·黑希特;B·哈巴;G·汉普斯通

（74）专利代理机构 永新专利商标代理有限公司

代理人 蔡胜利

（51）Int.CI

H01L23/538;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

具有电沉积介电涂层的带盖芯片的晶片级制造

（57）摘要

一种包括半导体元件的单元例如芯片级封

装件(350，1350)或光学传感器单元(10)被制造。半导体元件(300)具有暴露于前表面(302)和后表面(114)中的至少一个的半导电或导电材料(316)以及暴露于此并与半导电或导电材料绝缘的导电特征(310)。通过电沉积，绝缘层(304)被形成，以层叠于暴露的半导电材料或导电材料中的至少

一个上。接下来，多个导电触点(308)和多个导电迹线(306)被形成为层叠于电沉积绝缘层(304)上，以将导电特征(310)连接至导电触点(308)。光学传感器单元(10)可被组合于具有光学元件(1058)的照相机模块(1030)中，对准半导体元件(1000)的成像区(1026)。

法律状态

法律状态公告日

2009-11-11 2010-01-06 2011-03-30 2012-03-28 2013-05-22 2014-06-11

法律状态信息

公开

实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移 著录事项变更

专利申请权、专利权的转移 发明专利申请公布后的驳回

法律状态

公开

实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移 著录事项变更

专利申请权、专利权的转移 发明专利申请公布后的驳回

权利要求说明书

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说明书

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