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专利名称：单面生长石英晶体及其生长方法专利类型：发明专利发明人：刘盛浦,郭兴忠,吴兰申请号：CN201811039563.6申请日：20180906公开号：CN109112629A公开日：20190101
摘要：本发明提供一种单面生长石英晶体的生长方法，令石英晶体只在籽晶片的光轴面生长，同时了石英晶体的正电轴方向的生长；本发明通过人为石英晶体生长方向，改变高压釜内溶液与石英晶体生长界面的对流状态，使制备获得的单面生长石英晶体具有较大的尺寸、很低的杂质含量以及良好的透过率，其包裹体指标达到国家标准GB/T75‑2008中的Ⅰa级、条纹指标达到国家标准GB/T75‑2008中的1级和光学均匀性达到国家标准GB/T75‑2008中的A级，达到目前国家标准中的顶尖水平。
申请人：浙江博达光电有限公司
地址：311305 浙江省杭州市临安市青山湖街道青山湖科技城北环北二路
国籍：CN
代理机构：杭州中成专利事务所有限公司
代理人：金祺
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