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专利名称：具有辅助栅极结构的功率半导体器件专利类型：发明专利
发明人：弗洛林·乌德雷亚,洛伊佐斯·埃夫蒂米乌,焦尔贾·隆戈
巴尔迪
申请号：CN201880059804.5申请日：20180713公开号：CN111095531A公开日：20200501
摘要：本公开涉及GaN技术中的功率半导体器件。本公开提出了集成的辅助栅极端子(15)和下拉网络，以实现具有高于2V的阈值电压、低栅极泄漏电流和增强的切换性能的常断(E‑模式)GaN晶体管。高阈值电压GaN晶体管具有高压有源GaN器件(205)和低压辅助GaN器件(210)，其中高压GaN器件具有连接到集成辅助低压GaN晶体管的源极的栅极和为外部高压漏极端子的漏极以及为外部源极端子的源极，而低压辅助GaN晶体管具有连接到用作外部栅极端子的漏极(第二辅助电极)的栅极(第一辅助电极)。在其他实施例中，用于断开高阈值电压GaN晶体管的下拉网络由二极管、电阻器或与低压辅助GaN晶体管并联连接的两者的并联连接来形成。
申请人：剑桥企业有限公司
地址：英国剑桥
国籍：GB
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：倪斌
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