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专利名称：一种减小电子束径向振荡相位差的方法专利类型：发明专利
发明人：张广帅,孙钧,吴平,宋志敏,范志强,曹亦兵申请号：CN201910080324.3申请日：20190128公开号：CN109872933A公开日：20190611
摘要：本发明属于高功率微波技术领域，公开了一种减小电子束径向振荡相位差的方法，该方法立足于提高冷阴极爆炸发射电子初始相位的一致性，部分解决低引导磁场条件下爆炸发射电子速度离散引起的径向振荡问题。所述减小电子束径向振荡相位差的方法可以通过在冷阴极爆炸发射表面附近区域加载非均匀磁场加以实现。非均匀磁场的加载可以调整冷阴极表面附近的引导磁场位形，提高发射电子出射方向和运动路径的一致性，进而抑制电子之间由于速度离散引起的径向剧烈振荡。将该技术应用于低引导磁场高功率微波产生器件研制中，能够改进爆炸发射电子束的束流品质，提高高功率微波产生器的工作效率和可靠性。
申请人：西北核技术研究所
地址：710024 陕西省西安市灞桥区平峪路28号
国籍：CN
代理机构：中国兵器工业集团公司专利中心
代理人：刘瑞东
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