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专利名称：一种双面研磨装置专利类型：实用新型专利发明人：曹泽域
申请号：CN202020286917.3申请日：20200310公开号：CN212240552U公开日：20201229
摘要：本实用新型涉及一种双面研磨装置，包括上定盘(21)；基准平板(22)，设置在所述上定盘(21)的正上方以形成基准平面；定盘平衡机构(23)，连接在所述基准平板(22)和所述上定盘(21)之间，且当所述上定盘(21)与所述基准平板(22)之间的产生夹角时对所述上定盘(21)的倾斜位置施加相应的作用力。该双面研磨装置中通过在上定盘上方设置基准平板和若干弹性部件，当上定盘加压完成受到硅片厚度差的影响而出现不平衡现象时，若干弹性部件可以在上定盘和基准平面之间形成作用力和反作用力，起到调节上定盘平衡的作用，从而有效弱化硅片厚度差对定盘产生的影响，使硅片在研磨后得到更好的TTV，同时提高定盘的使用量和寿命，降低研磨成本。
申请人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
地址：710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
国籍：CN
代理机构：西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：刘长春
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