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专利名称：清洗化合物半导体的方法、化合物半导体的清洗用
溶液
专利类型：发明专利
发明人：长尾兼次,中村健一,寺本章伸申请号：CN201580039195.3申请日：20150218公开号：CN106537562A公开日：20170322
摘要：本发明提供一种能够降低环境负荷的清洗化合物半导体的方法。本发明的清洗化合物半导体的方法具有：使用包含纯水和少于65重量％的硫酸且具有pH值2以下的氢离子浓度和0.6伏特以上的氧化还原电位的溶液17，在摄氏70度以上的温度下对具有镓作为构成元素的化合物半导体实施用于清洗的处理4的工序。
申请人：住友电气工业株式会社,国立大学法人东北大学
地址：日本大阪府大阪市
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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