金属体表面的接触电阻的降低

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201080025424.3 （22）申请日 2010.03.31

（71）申请人 希尔德斯海姆/霍尔茨明登/哥廷根应用技术和艺术学院;克劳斯塔尔工业大学

地址 德国希尔达斯亥姆

（10）申请公布号 CN102460788A

（43）申请公布日 2012.05.16

（72）发明人 丹尼斯·霍夫迈斯特;尼尔斯·迈努施;沃尔夫冈·维奥尔;弗洛里安·福格茨;沃尔夫冈·毛斯-弗里德里克斯

（74）专利代理机构 北京安信方达知识产权代理有限公司

代理人 周靖

（51）Int.CI

H01M4/66; H01M4/04; H01M4/134; H01M4/133;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

金属体表面的接触电阻的降低

（57）摘要

为了降低金属体(2)表面(9)的接触电阻，

在表面(9)上通过放电生成还原性的物理等离子体(18)，并且在生成等离子体的同时，元素碳以分别包含大量碳原子的颗粒(19)的形式提供在表面

处。

法律状态

法律状态公告日

2012-05-16 2012-05-16 2012-06-27 2012-06-27 2014-10-15 2014-10-15 2018-04-17

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权 专利权的终止

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权 专利权的终止

权利要求说明书

金属体表面的接触电阻的降低的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

金属体表面的接触电阻的降低的说明书内容是....请下载后查看