集成电路工艺与器件模拟实验报告
姓 名 学号 时间 专 业 13电科产业 10月29号 实验名称 NMOS device simulation using ATLAS （一）、实验内容
用atlas模拟仿真nmos的Id-Vgs关系曲线图
（二）、实验目的和要求
了解atlas的模拟仿真过程，对atlas工作有一定的了解
（三）、实验过程及结果分析
1.创建atlas输入deck文件 2.模型定义命令组
定义CVT模型 定义复合模型 定义接触性质 定义界面性质
3.数值方法选择命令组 4.解定义命令组
激活solve properties
设置gate级 设置drain级
5.提取器件参数
提取Vt值 提取beta 提取theta
得出的IV关系图
6.用log，solve和load语句产生曲线族
（四）、实验遇到的问题及解决办法
做实验的时候总是太马虎，犯了很多不应该的错误。
