可控硅参数——精选推荐

BT151 ≥600 ≥600 8 1--12 0.8 TO-220

如图:主要应用：通用电

机控制，取暖和厨房用具，工业和家庭照明等产品。可控硅/晶闸管 特点:晶闸管是一种可控制的整流管，由门极向阴极送出微小信号电流即可触发单向电流自阳极流向阴极。正面K-G-A. 管脚排列：K-G-A特 点: 玻璃钝化芯片、高灵敏的控制极触发电流，低通态压降 用 途 : 应

用于各种万能开关器、小型马达控制器、彩灯控制器、漏电保护器、灯具继电器激励器、逻辑集成电路驱动、大功率可控硅门极驱动、摩托车点火器等线路

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BT169D ≥400 ≥400 0.8 5-120 0.8 TO-92 BT169G ≥600 ≥600 0.8 5-120 0.8 TO-92 BTB04 ≥600 ≥600 4 10 1.8 TO-220 BTA04 ≥600 ≥600 4 10 1.8 TO-220 BTA06 ≥600 ≥600 6 5--50 1.8 TO-220 BTB06 ≥600 ≥600 6 5--50 1.8 TO-220 BTA08 ≥600 ≥600 8 5--50 1.8 TO-220 BTB08 ≥600 ≥600 8 5--50 1.8 TO-220 BTA10 ≥600 ≥600 10 25--50 1.8 TO-220 BTB10 ≥600 ≥600 10 25--50 1.8 TO-220 BTA12 ≥600 ≥600 12 10--50 1.8 TO-220

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品名 = 12A四象限双向可控硅(TRIACs) ☆型号 = BTA12-1000B

◇电流 = 12.0（A） ◇电压 = 1000（V） ◇结温 = 125（℃） ◇封装形式 = TO-220AB◇管脚排列 = T1-T2-G 【主要用途】 变频电路，调光、调温、调速电路，电扇、洗衣机、饮水机、 微波炉、空调等家用电器的控制电路。

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BTB12 ≥600 ≥600 12 10--50 1.8 TO-220 BTA16 ≥600 ≥600 16 10--50 1.8 TO-220 BTB16 ≥600 ≥600 16 10--50 1.8 TO-220 BTA24 ≥600 ≥600 24 35--50 1.3 TOP3 BTA41 ≥600 ≥600 40 50 13 TOP3

MCR100-6 ≥400 ≥400 0.8 5--200 0.8 TO-92 MCR100-8 ≥600 ≥600 1.5 5--200 0.8 TO-92 2P4M ≥400 400 2 5--120 0.8 TO-202-3 X0405 ≥600 ≥600 2 20--50 0.8 TO-202-3 Z0405 ≥600 ≥600 4 30--50 1.8 TO-202-3 X0402 ≥600 ≥600 2 5--200 0.8 TO-202-3

Z0409 ≥600 ≥600 4 5-200 1.8 TO-202-3 4A四象限雙向可控硅【管腳排列】= T1-T2-G

【主要用途】 變頻電路，調光、調溫、調速電路，電扇、洗衣機、飲水機、 微波爐、空調等家用電器的控制電路。【主要參數】◎通態方均電流IT(RMS) = 4.0A◎通態浪涌電流ITSM = 40A◎正向耐壓VDRM＞ 600V◎

Z0607 ≥600 ≥600 0.8 5 1.3 TO-92 X0605 ≥600 ≥600 0.8 30--60 0.8 TO-92 YCR006 ≥400 ≥400 0.6 0.2 0.8 TO-92 YCR008 ≥400 ≥400 0.8 0.2 0.8 TO-92 YCR01-8 ≥600 ≥4600 1 0.2 0.8 TO-92 YCR01 ≥400 ≥400 1 0.2 0.8 TO-92

YCR015 ≥400 ≥400 1.5 0.2 0.8 TO-92 1.5A 塑封 单向可控硅-SCRs管脚排列：K-G-A

用 途 : 广泛应用于各种万能开关器、小型马达控制器、彩灯控制器、漏电保护器、灯具继电器激励器、逻辑集成电路驱动、大功率可控硅门极驱动、摩托车点火器等线路功率控制

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YCR02 ≥400 ≥400 2 0.2 0.8 TO-92/TO-202/TO-220 YCR05 ≥400 ≥400 5 0.2 0.8 TO-126/TO-202/TO-220 YCR05M ≥400 ≥400 5 25 1.5 TO-220/TO-251/TO-252 YCR08 ≥400 ≥400 8 25 1.5 TO-220 YCR12 ≥400 ≥400 12 25 1.5 TO-220 YCR20 ≥400 ≥400 20 25 1.5 TO-220 YTR01 ≥400 ≥400 1 10 2.2 TO-92 YTR02 ≥400 ≥400 2 20 2.2 TO-126 YTR04 ≥400 ≥400 4 30 2.2 TO-220 YTR06 ≥400 ≥400 6 30 2.2 TO-220 YTR08 ≥400 ≥400 8 30 2.2 TO-220 YTR10 ≥400 ≥400 10 30 2.2 TO-220 YTR16 ≥450 ≥450 16 30 2.2 TO-220

PCR606 ≥600 ≥600 0.6 ≤200 ≤0.8 TO-92 SOT-23 PCR406 ≥400 ≥400 0.4 ≤200 ≤0.8 TO-92

高压系列单向可控硅: ----------------------------

MCR100-8;MCR100-12;MCR100-14; BT169D;BT169M;BT169G;BT169H; MCR8M;MCR8N;

MCR12M;MCR12N;单向:12A/800V,12A/1000V MCR16M;MCR16N;单向:16A/800V,16A/1000V

MCR25M;MCR25N;单向:25A/800V,25A/1000V,25A/1200V VS8SBE;VS8HBE;单向:8A/800V,8A/1000V VS12HBE;VS12SBE;单向:12A/600V,12A/800V VS16SBE;VS16HBE;单向:16A/600V,16A/800V VS25SBE;VS25HBE;单向:25A/600V,25A/800V BT151-600R;BT151-800R;单向:12A/600V,12A/800V BT152-600R;BT152-800R;单向:20A/600V,20A/800V C106D;C106M;C106G;单向:4A/400V,4A/600V

TYN806;TYN1006;TYN1206;单向:6A/800V,6A/1000V,6A/1200V TYN808;TYN1008;TYN1208;单向:8A/800V,8A/1000V,8A/1200V

TYN810;TYN1010;TYN1210;单向:10A/800V,10A/1000V,10A/1200V TYN812;TYN1012;TYN1212;单向:12A/800V,12A/1000V,12A/1200V(K-Cathode;A-Anode;G-Gate) 电流/IT(RMS):≤12 A

TYN816;TYN1016;TYN1216;单向:16A/800V,16A/1000V,16A/1200V TYN825;TYN1025;TYN1225;单向:25A/800V,25A/1000V,25A/1200V TYN840;TYN1040;TYN1240;单向:40A/800V,40A/1000V,40A/1200V -------------------------------------------------------- 高压系列双向可控硅: --------------------

BT131-800D,BT131-800E; BT134-800D,BT134-800E; BT136-800D,BT136-800E; BT137-800D,BT137-800E; BT138-800D,BT138-800E; BT139-800D,BT139-800E; BTA06-800C,BTA06-800B; BTA08-800C,BTA08-800B; BTA12-800C,BTA12-800B; BTA16-800C,BTA16-800B; BTA24-800C,BTA24-800B; BTA41-800C,BTA41-800B; BTA41-1000,BTA41-1200; ----------------------------------

管脚排列:K-A-G

贴片可控硅

HBT148W SOT-23 ≥500V 0.6A 3000PCS/盘

MCR100-6 SOT-23 ≥500V 0.8A 3000PCS/盘 MCR100-6 SOT- ≥500V 0.8A 1000PCS/盘 MCR100-8 SOT-23 ≥600V 0.8A 3000PCS/盘 MCR100-8 SOT- ≥600V 0.8A 1000PCS/盘 MCR100-8 SOT-223 ≥600V 0.8A 2500PCS/盘 X0605MA SOT- ≥500V 1.2A 1000PCS/盘 X0605MA SOT-223 ≥500V 1.2A 2500PCS/盘 HBT169 SOT- ≥500V 1.0A 1000PCS/盘 HBT169 SOT-223 ≥500V 1.5A 2500PCS/盘 HBT151 TO-252 ≥500V 8.0A 2500PCS/盘 HBT151 TO-252 ≥650V 8.0A 2500PCS/盘 MAC97A6 SOT- ≥600V 1.0A 1000PCS/盘 HBT131 SOT- ≥600V 1.0A 1000PCS/盘 HBT134 TO-252 ≥600V 2.0A 2500PCS/盘 HBT134 TO-252 ≥600V 4.0A 2500PCS/盘 HBT136 TO-252 ≥600V 4.0A 2500PCS/盘 HBT137 TO-252 ≥600V 8.0A 2500PCS/盘

单向可控硅用途:

广泛用于各种万能开关器、小型马达控制器、彩灯控制器、漏电保护器、灯具继电器/激励器、逻辑集成电路驱动、大功率可控硅门极驱动、摩托车点火器等线路功率控制. 代表型号----

PCR406、PCR606、XL0840、ML1225、XL1225、MCR100-6、MCR100-8、BT169D、X0605MA、MCR22-6、MCR22-8、2P4M、X0402DE、X0405MF、C106D、C106M、BT151-600R、BT151-650R、TYN408、TYN608、TYN610、TYN612、TYN616、VS08(MCR72-6)、VS12(MCR12M)、VS16(MCR16M)、VS25(MCR25M)

我们致力打造:中国可控硅元件专业制造与配套销售第一品牌.

产品代表型号:

BT131-600、BT134-600E、BT134-800E、BT134-800G、HBT134DE(三象限)、BT136-600E、BT136-600D、BT136-800E、BT136-600G、BT137-600E、BT137-600G、BT137-800E、BT137-800G、HBT137DE(三象限)、BT138-600E、BT138-800E、BT138-600G、BT138-800G、HBT138DE(三象限)、BT139-600E、BT139-600D、BT139-800E、BT139-800G、HBT139DE(三象限)、BTA04-600B/C、BTB04-600SL、BTB04-600SAP、BTA06-600B/C/BW/CW、BTA08-600B/C/BW/CW/SW、BTA10-600B/C/BW/CW/TW、BTA12-600B/C/BW/CW/TW、BTA16-600B/C/BW/CW/TW、BTA20-600B/C、BTA20-700B/C、BTA24-600B/C、BTA25-600B/C、BTA26-600B/C、BTA40-600B/C、BTA40-700B/C、BTA40-800B/C、BTA41-600B/C、BTA41-700B/C、BTA41-800B/C、S8065K;

PHILIPS三象限系列:BTA204-600B/C/E/F、BTA208-600B/C/E/F、BTA208-600B/C/E/F、BTA212-600B/C/E/F、BTA216-600B/C/E/F;MCR100-6、MCR100-8;MAC97A6、MAC97A8;C106D、C106D、C106G;X0405、Z0405、Z0607、XL0840;ML1225、XL1225;BT169D

单向 塑封12A BT151-500R

►产品类别:单向可控硅-SCRs,Thyristors ►产品性能:12A 塑封单向

►工业型号:BT151-500R (飞利浦型号) ►封装外形:TO-220AB (220半塑封)

►管脚排列:K-A-G (K-Cathode;A-Anode;G-Gate) ►电流/IT(RMS):≤12 A( ITSM: ≤100 A ;IT(AV): ≤7.5 A ) ►电压/VDRM:≥500V

►触发电流/IGT:Gate trigger current(VD=12V;IT=0.1A) 2~15 mA(中间值~最大值)(毫安) ►触发电压/VGT: 0.6~1.5 V ►门极散耗功率:0.5W

►工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度: -40~+150℃) ►器件品牌:KKG(Haohai Electronics)

单向 半塑封 20A BT152-400R

►产品类别:单向可控硅-SCRs,Thyristors ►产品性能:20A 半塑封

►工业型号:BT152-400R (飞利浦型号) ►封装外形:TO-220AB (220半塑封)

►管脚排列:K-A-G(K-Cathode;A-Anode;G-Gate) ►电流/IT(RMS):≤20 A(ITSM: ≤200A ;IT(AV): ≤13A) ►电压/VDRM:≥400V

►触发电流/IGT:Gate trigger current(VD=12V;IT=0.1A) 3~32 mA(中间值~最大值)(毫安) ►触发电压/VGT: 0.6~1.5 V

►门极散耗功率:0.5W ►工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度: -40~+150℃) ►器件品牌:KKG

►制 造 商:Haohai Electronics

单向 小电流、塑封 BT169B ►产品类别:单向可控硅-SCRs ►产品性能:小电流、塑封、单向 ►工业型号:BT169B(飞利浦产品型号)

►封装外形:TO-92 (Philips Package: SOT54)

►管脚排列:A-G-K (A-Anode;G-Gate;K-Cathode) ►电流/IT(RMS):≤0.8 A (ITSM: ≤8 A ;IT(AV): ≤0.5 A) ►电压/VDRM:≥200V

►触发电流/IGT:Gate trigger current (VD=12V;IT=10mA) --~50~200 µA (最小值~中间值~最大值) (微安) ►触发电压/VGT: 0.5~0.8V(Gate trigger voltage)

►门极散耗功率:0.1W (Average gate power dissipation) ►工作温度/Tj:-40~+125°C (储存温度: -40~+150℃) ►器件品牌:KKG、Philips两种品牌产品同时供应

4A 单向可控硅 C106D

►产品类别:4A 单向可控硅-SCRs

►产品性能:Thyristors logic level

►工业型号:C106D (摩托罗拉型号/安森美型号) ►封装外形:TO-126 (126半塑封,TO-225AA) ►管脚排列:K-A-G (K-Cathode;A-Anode;G-Gate) ►电流/IT(RMS):≤4 A (ITSM: ≤20 A ;IT(AV): ≤2.5 A) ►电压/VDRM:≥400V

►触发电流/IGT:Gate trigger current (VD=12V;IT=0.1A) 15~200 µA (中间值~最大值) (微安)

►触发电压/VGT: 0.4~1.5 V (Gate trigger voltage) ►门极散耗功率:0.5W (Average gate power dissipation) ►工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度: -40~+150℃) ►器件品牌:KKG(Haohai Electronics)

0.8A 塑封 单向可控硅 MCR100-6

►产品类别:0.8A 塑封 单向可控硅-SCRs

►工业型号:MCR100-6 (摩托罗拉/安森美型号) ►封装外形:TO-92 (ON Package: TO-226) ►管脚排列:K-G-A ►电流/IT(RMS):≤0.8 A

►电压/VDRM:≥400V

►触发电流/IGT: (中间值~最大值) (微安) 微触发电流可分段: 1~5、5~10、10~20、10~30、30~60、HHHHH50~100、100~150、100~200、50~200 µA ( 微安 )

►触发电压/VGT: 0.62~0.8 V

►门极散耗功率:0.1W ►工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度: -40~+150℃) ►器件品牌:ON、KKG、VAST (多种品牌同时供应)

0.8A 微触发 单向可控硅 ML1225

►产品类别:0.8A 微触发 单向可控硅-SCRs ►工业型号:ML1225AA ►封装外形:TO-92

►管脚排列:K-G-A (K-Cathode;G-Gate;A-Anode) ►电流/IT(RMS):≤0.8 A (ITSM: ≤8 A ;IT(AV): ≤0.5 A) ►电压/VDRM:≥300V

►触发电流/IGT:后缀\"AA\": 10~15 µA

►触发电压/VGT: 1V (VD=7V)

►门极散耗功率:0.1W (Average gate power dissipation) ►工作温度/Tj:-40~+125°C (储存温度: ≤250℃) ►器件品牌:KKG(Haohai Electronics)

三像限双向可控硅

产品类别:三象限双向可控硅 代表型号:

BTA204-XXX(B/C/D/E/F); BTA206-XXX(B/C/D/E/F); BTA208-XXX(B/C/D/E/F); BTA212-XXX(B/C/D/E/F); BTA216-XXX(B/C/D/E/F); BTA225-XXX(B/C/D/E/F);

BTA04-BTA41-XXX(BW/CW/SW/TW); BTB04-BTB41-XXX(BW/CW/SW/TW); T405、T410、T420、T435-XXX(T/W/B/H); T805、T810、T820、T835-XXX(T/W/B/H); T1235-XXX(G/T)、T1620、T1630-XXX(W); T2535-XXX(G);T2550H-600T;

HBT134DE、136DE、137DE、138DE、139DE; 注:XXX代表电压:600V-800V;

双向可控硅 小电流 BT131-600 ►产品类别:小电流 双向可控硅 ►工业型号:BT131-600 ►封装形式:TO-92 ►电流/IT(RMS):≥ 1 A ►电压/VDRM:≥600V

►触发电流/IGT:

IGTⅠ(T2+G+):0.4~3.0 mA(第一象限) IGTⅡ(T2+G-):1.3~3.0 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):1.4~3.0 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+):3.8~7.0 mA(第四象限) ►触发电压/VGT:0.7~1.5V ►门极散耗功率:0.1W

►工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ►器件品牌:KKG (HAOHAI ELECTRONICS)

双向可控硅 2A/4A BT134-600D

►产品类别:2A 双向可控硅

►工业型号:BT134-600D

►封装形式:SOT-82(TO-126两种封装) ►电流/IT(RMS):≤ 2 A ►电压/VDRM:≥600V

►触发电流/IGT:

IGTⅠ(T2+G+):≤5 mA(第一象限) IGTⅡ(T2+G-):≤5 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):≤5 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+):≤7 mA(第四象限) ►触发电压/VGT:0.7~1.5V ►门极散耗功率:0.1W

►工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ►器件品牌:KKG (HAOHAI ELECTRONICS)

►产品类别:4A 双向可控硅 ►工业型号:BT134-600D

►封装形式:SOT-82(TO-126两种封装) ►电流/IT(RMS):≤ 4 A ►电压/VDRM:≥600V

►触发电流/IGT:

IGTⅠ(T2+G+):≤5 mA(第一象限) IGTⅡ(T2+G-):≤5 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):≤5 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+):≤7 mA(第四象限) ►触发电压/VGT:0.7~1.5V

►门极散耗功率:0.1W ►工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ►器件品牌:KKG (HAOHAI ELECTRONICS

4A 四象限 非绝缘型 双向可控硅 BT136-600D ►产品类别:4A 四象限 非绝缘型 双向可控硅 ►工业型号:BT136-600D

►封装形式:TO-220AB(220半塑封) ►电流/IT(RMS):≥ 4 A ►电压/VDRM:≥600V ►触发电流/IGT:

IGTⅠ(T2+G+):≤5 mA(第一象限) IGTⅡ(T2+G-):≤5 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):≤5 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+):≤7 mA(第四象限) ►触发电压/VGT:0.7~1.5V

►门极散耗功率:0.1W

►工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ►器件品牌:KKG、Philips 两种品牌同时供应

8A 四象限 非绝缘型 双向可控硅

►产品类别:8A 四象限 非绝缘型 双向可控硅 ►工业型号:BT137-600D

►封装形式:TO-220AB(220半塑封) ►电流/IT(RMS):≥ 8 A ►电压/VDRM:≥600V ►触发电流/IGT:

IGTⅠ(T2+G+):≤5 mA(第一象限) IGTⅡ(T2+G-):≤5 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):≤5 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+):≤7 mA(第四象限)

►触发电压/VGT:0.7~1.5V ►门极散耗功率:0.5W ►工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ►器件品牌:KKG、Philips 两种品牌同时供应

12A 四象限 非绝缘型 双向可控硅

►产品类别:12A 四象限 非绝缘型 双向可控硅 ►工业型号:BT138-600D

►封装形式:TO-220AB(220半塑封) ►电流/IT(RMS):≥12 A

►电压/VDRM:≥600V ►触发电流/IGT:

IGTⅠ(T2+G+):≤5 mA(第一象限) IGTⅡ(T2+G-):≤5 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):≤5 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+):≤7 mA(第四象限) ►触发电压/VGT:0.7~1.5V

►门极散耗功率:0.5W ►工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ►器件品牌:KKG、Philips 两种品牌同时供应

16A 四象限 非绝缘型 双向可控硅

►产品类别:16A 四象限 非绝缘型 双向可控硅 ►工业型号:BT139-600D

►封装形式:TO-220AB(220半塑封) ►电流/IT(RMS):≥16 A

►电压/VDRM:≥600 V

►触发电流/IGT:

IGTⅠ(T2+G+):≤5 mA(第一象限) IGTⅡ(T2+G-):≤5 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):≤5 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+):≤7 mA(第四象限) ►触发电压/VGT:0.7~1.5V

►门极散耗功率:0.5W ►工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ►器件品牌:KKG、Philips 两种品牌同时供应

双向可控硅 非绝缘性 BTB04-600SL

►产品类别:4A 四象限 非绝缘型 双向可控硅 ►工业型号:BTB04-600SL ►封装形式:TO-220AB ►电流/IT(RMS):≥4 A ►电压/VDRM:≥600V ►触发电流/IGT:

IGTⅠ(T2+G+):≤10 mA(第一象限) IGTⅡ(T2+G-):≤10 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):≤10 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+):≤25 mA(第四象限) ►触发电压/VGT:<1.5V ►门极散耗功率:1W

►工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ►器件品牌:ST、KKG (同时供应)

6A 四象限 绝缘型 双向可控硅 BTA06-600B ►产品类别:6A 四象限 绝缘型 双向可控硅 ►工业型号:BTA06-600B ►封装形式:TO-220AB ►电流/IT(RMS):≥6 A ►电压/VDRM:≥600V ►触发电流/IGT:

IGTⅠ(T2+G+):≤50 mA(第一象限) IGTⅡ(T2+G-):≤50 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):≤50 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+):≤100 mA(第四象限) ►触发电压/VGT:<1.3 V

►门极散耗功率:1 W ►工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ►器件品牌:ST、KKG (同时供应)

8A 四象限 绝缘型 双向可控硅 BTA08-600B ►产品类别:8A 四象限 绝缘型 双向可控硅 ►工业型号:BTA08-600B ►封装形式:TO-220AB ►电流/IT(RMS):≥8 A ►电压/VDRM:≥600V ►触发电流/IGT:

IGTⅠ(T2+G+):≤50 mA(第一象限) IGTⅡ(T2+G-):≤50 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):≤50 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+):≤100 mA(第四象限) ►触发电压/VGT:<1.3 V

►门极散耗功率:1 W ►工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ►器件品牌:ST、KKG (同时供应)

10A 四象限 绝缘型 双向可控硅

►产品类别:10A 四象限 绝缘型 双向可控硅 ►工业型号:BTA10-600B ►封装形式:TO-220AB ►电流/IT(RMS):≥10 A ►电压/VDRM:≥600V

►触发电流/IGT:

IGTⅠ(T2+G+):≤50 mA(第一象限) IGTⅡ(T2+G-):≤50 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):≤50 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+):≤100 mA(第四象限) ►触发电压/VGT:<1.3 V ►门极散耗功率:1 W

►工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ►器件品牌:ST、KKG (同时供应)

12A 四象限 绝缘型 双向可控硅

►产品类别:12A 四象限 绝缘型 双向可控硅 ►工业型号:BTA12-600B ►封装形式:TO-220AB ►电流/IT(RMS):≥12 A

►电压/VDRM:≥600V ►触发电流/IGT:

IGTⅠ(T2+G+):≤50 mA(第一象限)

IGTⅡ(T2+G-):≤50 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):≤50 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+):≤100 mA(第四象限) ►触发电压/VGT:<1.3 V ►门极散耗功率:1 W

►工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ►器件品牌:ST、KKG (同时供应)

16A 四象限 绝缘型 双向可控硅

►产品类别:16A 四象限 绝缘型 双向可控硅 ►工业型号:BTA16-600B ►封装形式:TO-220AB ►电流/IT(RMS):≥16 A ►电压/VDRM:≥600V ►触发电流/IGT:

IGTⅠ(T2+G+):≤50 mA(第一象限) IGTⅡ(T2+G-):≤50 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):≤50 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+):≤100 mA(第四象限) ►触发电压/VGT:<1.3 V

►门极散耗功率:1 W ►工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ►器件品牌:ST、KKG (同时供应)

20A 三象限 绝缘型 双向可控硅

►产品类别:20A 三象限 绝缘型 双向可控硅 ►工业型号:BTA20-600CW ►封装形式:TO-220AB ►电流/IT(RMS):≥20 A ►电压/VDRM:≥600V

►触发电流/IGT:

IGTⅠ(T2+G+):≤35 mA(第一象限) IGTⅡ(T2+G-):≤35 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):≤35 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+): ►触发电压/VGT:<1.3 V ►门极散耗功率:1 W

►工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ►器件品牌:ST-意法半导体

►产品说明:提供性能、参数相同之代替品

25A 三象限 绝缘型 双向可控硅

►产品类别:25A 三象限 绝缘型 双向可控硅 ►工业型号:BTA24-600BW ►封装形式:TO-220AB ►电流/IT(RMS):≥ 25 A ►电压/VDRM:≥ 600V ►触发电流/IGT:

IGTⅠ(T2+G+):≤50 mA(第一象限) IGTⅡ(T2+G-):≤50 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):≤50 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+): ►触发电压/VGT:<1.3 V

►门极散耗功率:1 W ►工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ►器件品牌:ST、KKG (同时供应

单向可控硅

PCR406J PCR606J MCR100-6 MCR100-8 BT169D X00605MZ MCR22-6 MCR22-8 CT502 2P4M 2P6M C106D X0405MF BT151 BT151F MCR8SN MCR72-6 BT152 MCR25N BCA60 双向可控硅

MAC97A6 BT131 Z0607 BT134 BT136 BT137 BT138 BT139 BTB04 BTB06 BTB08 BTB10 BTB12 BTB16 BTB20 BTB24 BTB26 BTB41 BTA06 BTA08 BTA12 BTA16 BTA20 BTA24 BTA26 BTA41 BTA50 BTA60 BTA80 BTA100