（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利说明
（21）申请号 CN201710990234.9 （22）申请日 2017.10.23
（71）申请人 积体电路制造股份有限公司
地址 中国新竹
（10）申请公布号 CN108231694B
（43）申请公布日 2020.03.20
书
（72）发明人 吴国铭;刘冠良;王文德;林永隆
（74）专利代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 章社杲
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
密封环结构及其形成方法
（57）摘要
三维(3D)集成电路(IC)包括第一IC管芯
和第二IC管芯。第一IC管芯包括第一半导体衬底以及位于第一半导体衬底上方的第一互连结构。并且第二IC管芯包括第二半导体衬底以及将第二半导体衬底与第一互连结构分隔开的第二互连结构。密封环结构将第一互连结构与第二互连结构分隔开并且外围围绕第一IC管芯和第二IC管芯之间的气体储存器。密封环结构包括配置为允许气体在气体储存器和围绕3D IC的周围环境
之间穿过的侧壁排气开口结构。本发明的实施例还涉及密封环结构及其形成方法。
法律状态
法律状态公告日
2018-06-29 2018-06-29 2018-06-29 2018-07-24 2018-07-24 2020-03-20
法律状态信息
公开 公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
法律状态
公开 公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
权利要求说明书
密封环结构及其形成方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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